测试测量综合服务商-深圳市万博仪器仪表有限公司
系统组成:
新锐中科功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关测试配件等构成。整套系统采
⽤新锐中科⾃主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专⽤上位机测试软件，可根据测试项⽬需要，设置不
同的电压、电流等参数，以满⾜不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可⽣成I‐V以及C‐V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使
⽤，实现晶圆级芯⽚测试。
系统参数： |
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| 型号 | 主要规格 | 范围 | 准确度 | |||||||||
| 集电极-发射极 | 电压 | 300V--3500V | ±0.1% | |||||||||
| 电流 | 5A--6000A | ±0.1% | ||||||||||
| 最⼩电压脉宽 | 1ms | ±100uS | ||||||||||
| 电流脉宽 | 50μs~500μs | ±5μs | ||||||||||
| 漏电流测试范围 | 1nA~100mA | |||||||||||
| 栅极-发射极 | 电压 | 300mV--300V | ±0.1% | |||||||||
| 电流 | 10nA--1A（直流）/10A（脉冲） | ±0.1% | ||||||||||
| 脉冲宽度 | 200us--100ms | ±10uS | ||||||||||
| 电容测试 | *频率范围 | 10Hz~1MHz | ±0.01% | |||||||||
| 电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | ±0.05% | ||||||||||
| 信号电平 | 10mV-2Vrms | 0.06 | ||||||||||
| 偏压 | 300V--3500V | ±0.1% | ||||||||||
| 温控温控 | 范围 | 25℃~200℃ | ±1℃ | |||||||||
SP26S系列的主要应⽤
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软件特点：
- 测试主机内部采⽤的电压、电流测量单元，均采⽤多量程设计，测试精度为0.1%
- 栅极‐发射极，最⼤⽀持30V/10A脉冲电流输出与测试，可测试低⾄pA级漏电流
- 集电极‐发射极，最⼤⽀持6000A⾼速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压⾼速同步采样功能
- 最⾼⽀持8000V电压输出，且⾃带漏电流测量功能
- 电容特性测试包括输⼊电容、输出电容、以及反向传输电容测试，频率最⾼⽀持1MHz
| > 测试器件类型及项⽬ | ||||||||||||||
| 参数分类 | 参数符号 | 参数说明 | 参数分类 | 参数符号 | 参数说明 | |||||||||
| 三极管 | V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电
压 |
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| MOSFET | V(BR)DSS | 栅极-源极击穿电压 | V(BR)CBO | 集电极-基极击穿电压 | ||||||||||
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | V(BR)EBO | 发射极-基极击穿电压 | |||||||||||
| IDSS | 源极漏电流 | ICBO | 集电极-基极截止电流 | |||||||||||
| IGSS | 栅极漏电流 | IEBO | 发射极-基极截止电流 | |||||||||||
| RDS(on) | 源极-漏极导通电阻 | VCESAT | 集电极-发射极饱和电
压 |
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| VSD | 体二极管导通电压 | |||||||||||||
| VBESAT | 基极-发射极饱和电压 | |||||||||||||
| ISD | 体二极管导通电流 | |||||||||||||
| IC | 集电极电流 | |||||||||||||
| Ciss | 输入电容 | |||||||||||||
| IB | 基极电流 | |||||||||||||
| Coss | 输出电容 | Ccb | 集电极-基极电容 | |||||||||||
| Crss | 反向传输电容 | Ceb | 发射极-基极电容 | |||||||||||
| gfs | 跨导 | |||||||||||||
| hFE | 增益 | |||||||||||||
| 输出特性曲线
转移特性曲线 C-V特性曲线 |
输入特性曲线
输出特性曲线 C-V特性曲线 |
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| IGBT | VCES | 集电极-发射极电压 | GaN HEMT | V(BR)DSS | 栅极-源极击穿电压 | |||||||||
| V(BR)CES | 集电极-发射极击穿电压 | VGS(th) | 栅极阈值电压 | |||||||||||
| IDSS | 源极漏电流 | |||||||||||||
| VCEsat | 集电极-发射极饱和电压 | IGSS | 栅极漏电流 | |||||||||||
| RDS(on) | 源极-漏极导通电阻 | |||||||||||||
| IC | 集电极电流 | |||||||||||||
| VSD | 体二极管导通电压 | |||||||||||||
| ICES | 集电极截止电流 | |||||||||||||
| ISD | 体二极管导通电流 | |||||||||||||
| VGES | 栅极-发射极电压 | Ciss | 输入电容 | |||||||||||
| VGE（th） | 栅极-发射极阈值电压 | Coss | 输出电容 | |||||||||||
| IGES | 栅极漏电流 | Crss | 反向传输电容 | |||||||||||
| Ciss | 输入电容 | gfs | 跨导 | |||||||||||
| Coss | 输出电容 | 输出特性曲线
转移特性曲线 C-V特性曲线 |
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| Crss | 反向传输电容 | |||||||||||||
| gfs | 跨导 | |||||||||||||
| 光耦 | IF | 正向电流 | ||||||||||||
| 输出特性曲线
转移特性曲线 C-V特性曲线 |
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| VF | 正向电压 | |||||||||||||
| V（BR）CEO | 反向击穿电压 | |||||||||||||
| 二极管 | VR | 反向击穿电压 | VCE（sat） | 输出饱和压降 | ||||||||||
| ICEO | 反向截止电流 | |||||||||||||
| IR | 反漏电流 | |||||||||||||
| 输入电容
输出电容 入出间隔离电容CIO |
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| VF | 正向电压 | |||||||||||||
| IF | 正向电流 | |||||||||||||
| Cd | 电容值 | 输出电流传输比CTR
输入特性曲线 输出特性曲线 |
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| I-V特性曲线
C-V特性曲线 |
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| 备注：更多类型的器件⽀持不断在完善中 | ||||||||||||||
> SP26S系列订购信息 |
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| 型号 | 主要规格 |
| SP26S2100H | 0.1%精度， 2200V,1000A |
| SP26S3200H | 0.1%精度， 3500V,2000A |
| SP26S3400H | 0.1%精度， 3500V,4000A |
| SP26S8600H | 0.1%精度， 8000V,6000A |
SP26S系列半导体静态参数测量系统配置
- 测试主机、测试线、测试夹具、电脑
- 标配TO-247-3L/TO-220封装治具；
- 参数测试系统软件及系统使⽤⼿册；
SP26S系列半导体静态参数测量系统硬件夹具选件
- SP-XXX，客户定制治具板
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