普赛斯解决方案

普赛斯PL系列LIV窄脉冲测试系统助力VCSEL的测试应用更高效可靠

VCSEL激光器LIV测试 专注于半导体电性能测试 概述 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种激光发射方向垂直于P-N结平面,而谐振腔面平行于P-N结平面的半导体激光器,它属于面发射激光器的一种。而EEL边...

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案

功率器件(IGBT)静态参数测试 专注于半导体电性能测试 概述 SiC/IGBT及其应用发展 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复...

普赛斯数字源表快速、准确进行三极管(BJT)特性分析

三极管(BJT)特性分析 专注于半导体电性能测试 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大 作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 ...

普赛斯S系列、P系列源表简化场效应管（MOSFET）I-V特性分析

场效应管(MOSFET)I-V特性分析 专注于半导体电性能测试 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体 器 件，可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电...

高精度数字源表(SMU)在二极管特性参数分析中的应用

二极管特性参数分析 专注于半导体电性能测试 分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加 电压或电流，然后测试其对激励做出的响应，通常分立 器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的...

GaN HEMT射频器件参数测试

GaN HEMT射频器件参数测试 专注于半导体电性能测试 概述—射频 射频器件是实现信号发送和接收的基础部件,是无线通讯的核心,主要包括滤波器(Filter)、功率放大器(PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(...

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案

功率器件(IGBT)静态参数测试 专注于半导体电性能测试 概述 SiC/IGBT及其应用发展 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复...